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 ハイブリッドアンプ 製作例

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☆ 回路構成 
今回は出力部にFETを使用。
前段はシングルアンプと同じですが、ノイズ(ハム、フリッカー)に注意が必要です。
5K:8ΩのOPTは電圧比は25:1ですが、今回のインプットトランスは5K:1.25Kで電圧比2:1になり 
そのままFETで出力されその分ノイズ対策が必要です。
対策としてヒーターを直流点火、球の選別、電源のフィルターを強化してドリフトの低減などプリアンプと同じです。
(使用球は6C5C+6Φ6C Russia)
ゲイン調整の為、3dB程のPG帰還をかけています。
FETはペアー物が販売されています。球より安くケミコンと合わせて若松通商で入手できます。
トランス類は手持ちを使用しましたが、他のトランスでも問題は無いと思います。
ヒータートランス633Wはシャーシ内に納まらず裏板を穴あけしました(今回の回路なら632Wで十分です)
電源トランスは1次側のタップを110Vに接続して電圧を1割下げています。
またFET用電源はアースを浮かしスピーカー保護を省略しました。
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☆ 回路図 
画像データー
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☆ 製作 
1, シャーシ穴あけ
タカチSRDSL−20HS 
2, 放熱板加工1 放熱板加工2
ジャンクのヒートシンクをH100×W45×L140にカットしてアルミ角パイプで連結、フィンをシルバーに塗装。
3, 部品取付裏 部品取付上 部品取付後
4, 配線後
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☆ 調整
真空管回路の配線を先に実施し、ドライバートランス2次側で測定(FETには接続しない事。完成後この電圧がそのまま出力になる)。
各所の電圧、特性、ノイズ等のチェックをする。RL1.5Kは使用トランスにより調整してください(F特性が変わります)
次にFET回路を片CHを先に配線し調整する。
バイアス用ボリュームは絞り切り(0Ω)、バランス用は中間にセットし電源ON 
FETのアイドリング電流を0.5Aにバイアスを調整し(TP0.11V)、OUT端子で0Vにバランスを調整。再度交互に調整。
異常が無ければ他CHの配線し調整する。 
実験調整中ドライバートランス2次にFET過大入力の保護で、ツェナーRD30Eを接続していますが、音質には問題無くそのままです。
◎ 特性 Excelデーター
前段の真空管特性がそのまま出力され、音質は6F6の10パラシングルアンプ?
久しぶりにESL を鳴らしました。
次回は直熱管予定・・・ 
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ドライバー管を直熱管の71A/171Aに変更しました。 
ヒーター電圧を5Vに調整。ハムバランスは抵抗で代用。  
☆ 回路図 
画像データー
71Aはヒーター電流が0.25Aと小さく、抵抗とコンデンサーでハムを減らす事が出来ます。
トランス容量も2A(PM−632W)で十分です。今後10や45を試す為に3Aを使用しています。
但し直熱管はノイズとハウリングに注意で球の選別が必要です。
1, 裏1
2, 裏2
3, 裏3
小出力の直熱管の音を、大音量また能率の低いスピーカーで十分鳴らせます。
◎ 特性 Excelデーター
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